高低溫循環(huán)檢測(cè)機(jī)是芯片測(cè)試領(lǐng)域的重要設(shè)備，它通過模擬溫度環(huán)境來(lái)評(píng)估芯片的可靠性和性能。以下是該設(shè)備在芯片測(cè)試中的主要好處：
一、核心應(yīng)用場(chǎng)景
?可靠性驗(yàn)證測(cè)試?：
溫度循環(huán)測(cè)試：讓芯片經(jīng)受苛刻高溫和低溫之間的轉(zhuǎn)換，評(píng)估抗熱應(yīng)力性能。典型測(cè)試范圍為-55℃~125℃，可模擬芯片在嚴(yán)苛溫度條件下的性能表現(xiàn)。
低溫啟動(dòng)測(cè)試：驗(yàn)證芯片在嚴(yán)苛低溫環(huán)境(如-40℃)下的工作能力，確保其在寒冷條件下的可靠性。
高溫老化測(cè)試：評(píng)估芯片在長(zhǎng)期高溫工作環(huán)境(如150℃)下的性能與壽命，為產(chǎn)品優(yōu)化提供數(shù)據(jù)支持。
?失效分析與設(shè)計(jì)驗(yàn)證?：
熱遷移模擬：檢測(cè)3D封裝芯片熱膨脹系數(shù)失配導(dǎo)致的層間分層問題。
材料性能驗(yàn)證：評(píng)估新型半導(dǎo)體材料(如氮化鎵)在高溫下的電子遷移率變化。
?全生命周期可靠性評(píng)估?：
通過加速測(cè)試(如85℃/2000小時(shí)高溫存儲(chǔ)試驗(yàn))結(jié)合Arrhenius加速模型推算芯片平均時(shí)間(MTTF)。
快速溫變(20℃/min)可暴露BGA封裝焊點(diǎn)微裂紋，使故障檢出率提升40%。
二、主要技術(shù)優(yōu)勢(shì)
?測(cè)試效率提升?：
溫度切換時(shí)間≤30秒(傳統(tǒng)設(shè)備需數(shù)分鐘)，顯著縮短測(cè)試周期。
支持多通道測(cè)試，單次可驗(yàn)證50顆芯片(傳統(tǒng)方法僅10顆)。
高低溫循環(huán)檢測(cè)機(jī)高溫老化測(cè)試時(shí)間可從1,000小時(shí)縮短至500小時(shí)，效率提升50%。
?測(cè)試精度保障?：
控溫精度達(dá)±0.5℃，溫度均勻度≤1℃(傳統(tǒng)設(shè)備±2℃)。
溫度波動(dòng)度±0.1℃(高精度模式)，避免因溫度梯度導(dǎo)致的測(cè)試誤差。
微米級(jí)控溫對(duì)晶圓測(cè)試至關(guān)重要，溫度差異>1℃可能引發(fā)熱應(yīng)力失效。
?測(cè)試靈活性?：
可針對(duì)PCB板上單個(gè)IC進(jìn)行隔離測(cè)試，不影響周邊器件。
溫域范圍廣(-70℃至+180℃)，覆蓋車規(guī)、軍工、工業(yè)等各類芯片需求。
勤卓（kingjo）十多年專業(yè)研發(fā)生產(chǎn)可編程高低溫濕熱交變?cè)囼?yàn)箱/復(fù)層式高低溫試驗(yàn)箱/三箱式高低溫冷熱沖擊試驗(yàn)箱/大型高低溫老化房/步入式恒溫恒濕實(shí)驗(yàn)室/吊籃式冷熱沖擊試驗(yàn)箱/溫濕度循環(huán)檢測(cè)機(jī)/非線性高低溫快速溫變?cè)囼?yàn)箱/濕熱循環(huán)檢測(cè)機(jī)/步入式循環(huán)試驗(yàn)箱/氙燈加速老化試驗(yàn)箱/甲醛試驗(yàn)箱/可編程高低溫濕熱交變?cè)囼?yàn)箱/可編程循環(huán)測(cè)試機(jī)等可靠性環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備。
18925806924
